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HSQ 대체 negative 전자빔 레지스트. 10nm 이하 고해상도, 우수한 보관 안정성.
HSQ 대체HSQ 동등 silsesquioxane negative 전자빔 레지스트. 10 nm급 해상도, 82 UV는 EUV·DUV 감응.
HSQ 대체ZEP520 대체 positive 전자빔 레지스트. 고해상도·고감도·높은 식각 내성.
ZEP520 대체고감도 negative 전자빔 레지스트. 고해상도 나노패터닝용.
negative고해상도 positive 전자빔 레지스트.
positivePMMA 기반(저분자량) positive 전자빔 레지스트. 고해상도·리프트오프용.
PMMAPMMA 기반 positive 전자빔 레지스트. 농도·막두께별 선택.
PMMAPMMA 기반 positive 전자빔 레지스트. 농도·막두께별 선택.
PMMAPMMA 기반 positive 전자빔 레지스트. 농도·막두께별 선택.
PMMAPMMA(고분자량 950k 계열) positive 전자빔 레지스트. 고해상도용.
PMMAPMMA(고분자량 950k 계열) positive 전자빔 레지스트. 고해상도용.
PMMAPMMA(고분자량 950k 계열) positive 전자빔 레지스트. 고해상도용.
PMMA전자빔 차징 방지 전도성 코팅. 모든 e-beam 레지스트 호환, 우수한 보관 안정성.
전도성 코팅positive 포토레지스트. 스프레이 코팅 등 다양한 적용.
positive박막용 positive 포토레지스트.
positivepositive 포토레지스트.
positivepositive 포토레지스트. AR-BR 5400 조합 리프트오프 가능.
positive후막 positive 포토레지스트.
positivenegative 포토레지스트. 스프레이 코팅용.
negative고감도 negative 포토레지스트(sub-µm, i-line/g-line).
negative후막 negative 포토레지스트. i-line·X-ray·e-beam, 최대 100µm급.
negative후막 negative 포토레지스트(Atlas 46 계열, <20µm 적용).
negative리프트오프용 bottom resist(2층 시스템).
bottom resist보호 코팅(protective coating).
protectiveKOH·HF 내성 후면 보호 코팅(Black-Protect). 40% KOH·50% HF·BOE 식각 공정용.
protective폴리이미드 보호 코팅·절연층. 450°C 내열, 센서 재료 적용.
polyimide특수(주문형) 사양 positive 포토레지스트.
special밀착 증진제(adhesion promoter). 포토·전자빔 레지스트 밀착력 향상.
adhesion promoter씨너(thinner). 전자빔 레지스트용 안전 용제.
thinner씨너(thinner). 포토레지스트용 안전 용제.
thinnerPMMA용 현상액. 약현상으로 고해상도·낮은 dark erosion.
현상액(PMMA)PMMA용 현상액. 고해상도·낮은 dark erosion.
현상액(PMMA)현상 정지(stopper) 첨가제. PMMA 콘트라스트 향상.
스토퍼TMAH 현상액을 대체하는 choline 기반 안전 현상액.
TMAH 대체금속이온 미함유(metal-ion-free) 강현상액. 포토·전자빔 레지스트용.
현상액강력 리무버(고온 베이크 박리). 생식독성 — 안전 대체(300-76/600-71) 권장.
리무버수용성 알칼리 리무버(TMAH 기반).
리무버범용 리무버. 생식독성 NEP 리무버의 안전 대체.
removerZEP·CSAR 등 레지스트 제거용. 생식독성 물질(DMAC·NEP) 회피한 안전 대체.
ZDMAC 대체독일 ALLRESIST GmbH의 정식 공급 채널로 정품을 공급합니다.
특수 레지스트도 평균 발주 후 2~3주 이내에 공급합니다.
반도체·MEMS 엔지니어 경험을 바탕으로 공정에 맞는 제품을 함께 찾습니다.
발암·생식독성 우려 물질을 회피한 현상액·리무버·용제 제품군을 제안합니다.
제품 구매, 견적, 납기, 데이터시트/SDS 요청은 아래로 연락 주세요. 사용 중이신 공정 조건을 알려주시면 적합한 제품을 함께 검토해 드립니다.