MEMS 소자 제작 전 공정을 단계별로 지원합니다. 필요한 공정만 개별 의뢰도 가능합니다.
MEMS 소자 레이아웃에 맞춘 포토마스크 설계 서비스. 공정 조건에 맞춰 최적화합니다.
TSV(Through-Silicon Via) 및 고종횡비 실리콘 식각. 수직/경사 프로파일 제어 가능.
Cu·Ni·Au·Ag·Sn 등 다양한 금속 전기도금. TSV 충전, 필러 범프, 프로브 니들 제작.
TSV 및 MEMS 구조를 위한 실리콘 심도 식각을 지원합니다. 아래는 대표 공정 사양이며, 상세 조건은 문의 시 안내해 드립니다.
| 공정 | 항목 | 대표 사양 |
|---|---|---|
| TSV 식각 | 두께 (thickness) | 300 µm |
| TSV 식각 | 측벽 각도 (angle) | 90 ± 0.15° |
| Negative 식각 | 측벽 각도 (angle) | 86 ± 0.2° |
6인치·8인치·12인치 웨이퍼 전기도금을 지원하며, 다양한 금속과 응용 공정을 대응합니다.
6인치 / 8인치 / 12인치 웨이퍼
Cu · Ni-Co · Ni · Ag · Au · Sn · Pd 등
Cu filling for inter-connection, TSV용 Cu open filling
Cu/Sn 필러 범프, Cu/Ni/Au 필러 범프, 프로브 니들(probe needle)
압력·관성·음향 센서 등 MEMS 소자 제작을 위한 마스크·식각·도금 공정.
Through-Silicon Via 식각 및 Cu 충전으로 3D 적층·인터커넥션 구현.
Cu/Sn·Cu/Ni/Au 필러 범프, 프로브 니들 도금으로 접합·검사 부품 제작.
소량·다품종 MEMS 시제작이 필요한 연구팀의 공정 위탁에 적합.
공정 상담 안내: 웨이퍼 크기, 목표 구조, 도금 금속·두께 등 조건을 알려주시면 적합한 공정을 제안해 드립니다. 마스크 설계부터 식각·도금까지 개별 공정 단위로도 의뢰 가능합니다.
마스크 설계, 실리콘 식각, 웨이퍼 전기도금 등 MEMS 공정에 관한 문의는 JPDREAM으로 연락 주세요.