AR-P 8100(Phoenix 81)은 PPA(폴리프탈알데하이드) 기반의 열현상형(thermally structurable) 고콘트라스트 positive 전자빔 레지스트입니다. 노광 후 가열(PEB)만으로 거의 완전히 현상되는 자기현상(self-developing) 특성을 가져, 집적회로·홀로그래픽 구조 제작에 활용됩니다. JPDREAM은 ALLRESIST 공식 한국 대리점으로서 국내에 공급합니다.
| 톤(tone) | Positive (열현상형, thermally structurable) |
|---|---|
| 베이스 폴리머 | PPA (폴리프탈알데하이드), 용제 anisole |
| 변종·막두께 | 8100.03(고형분 3%, 30 nm) · 8100.06(6%, 80 nm) @ 4000 rpm; 막두께 20~160 nm |
| 해상도(resolution) | < 10 nm (전자빔 라인에서 16 nm 브리지 구현) |
| 콘트라스트(contrast) | 조절형 1~10 |
| dose to clear | 약 30~40 µC/cm² (e-beam) |
| 현상 | 열현상(self-developing) — PEB로 거의 완전 현상; 잔막은 짧은 플라즈마 식각으로 제거 |
| 구조화 방식 | tSPL(NanoFrazor) · 전자빔 · 그레이톤 · >300 nm UV 비감응 |
| 인화점·분해 | 인화점 44°C / 120°C 이상에서 분해 |
| 보관 안정성 | PPA 분말: 상온 4주 · 냉장(8~12°C) 6개월 · -18°C 1년 → 냉장 운송 불필요 (용액은 -18°C 보관) |
| 공정 화학 | 밀착 AR 300-80 new/HMDS · 씨너 AR 600-02 · 리무버 AR 600-01, AR 600-02 |
사양은 ALLRESIST 공식 데이터시트 기준의 대표값이며, 농도(.xx)·공정 조건에 따라 달라질 수 있습니다. 정확한 데이터시트와 SDS는 JPDREAM에 요청하시면 제공해 드립니다.
tSPL(NanoFrazor) 응용, 집적회로, 홀로그래픽·그레이톤 구조, 2층 리프트오프 등에 사용됩니다. 습식 현상을 최소화하는 열현상 방식과 우수한 보관 안정성이 차별점입니다.
JPDREAM이 ALLRESIST 공식 한국 대리점으로서 국내에 공급합니다. 아래로 문의하시면 견적·납기를 안내해 드립니다.
평균 발주 후 2~3주 이내입니다. 일반적으로 재고를 보유하지 않고 주문 공급합니다.
네, JPDREAM에 요청하시면 ALLRESIST 공식 데이터시트와 SDS를 제공해 드립니다.
노광 후 가열(PEB) 단계에서 PPA가 휘발성 단량체로 분해되어 거의 완전히 현상되는 방식으로, 습식 현상 의존도를 크게 줄입니다. 잔막은 짧은 플라즈마 식각으로 제거합니다.